- 課程代碼
- 40IP70E
- 課程名稱
- [僑生資工二戊] 半導體元件概論
- 學分
- 2
- 學期
- 1122
- 單位
- 資訊工程 (464103)
- 班級
- 日間部四技資工二E
- 修課人數
- 27 人
- 老師
-
王志浩資訊工程 (464103) - 課程簡介
半導體元件概論--課程包含 : 積體電路發展、製程介紹、晶圓製造、加熱、微影(Lithography) 、電漿、離子佈植、蝕刻(Etching)等製程之說明、化學氣相沉積(CVD)與介電質薄膜之分析，藉由單元主題「實用觀點」之介紹，期望能使學生能對半導體元件設計、製程的原理及其應用技術有基礎的認識與了解，以便提昇其日後研習相關課程的興趣與知識能量。
- 課程大綱
課程單元主題，主要著重於：
* 以既有的知識能清楚理解新的觀念與想法。
* 強調理解的觀念與實務解題方法之間的關係。
* 以提供學生更紮實的工程實務基礎之知識、觀念與想法。
分為六個主題介紹：
1. 瞭解半導體積體電路發展、材料與物理定律及分析方法。
2. 半導體能帶與載子傳輸基本概念分析原理及規劃。
3. 化合物半導體晶體結構原理的技巧及分析方法。
4. 瞭解半導體基礎元件先進技術的原理及設計。
5. 接面能帶圖與費米能階規範與範例分析。
6. 縮小化與先進奈米元件應用發展趨勢和總結分析。
期使學生能對半導體元件設計、整合的分析技巧及其應用技術，有基礎的認識與了解，以便奠下後續課程的良好根基及對週邊設備電路、與系統設計有基礎的認識與了解。
預計進度
單元
授課內容
第1週
Ch 1.1-1.3
晶體結構與矽半導體物理特性+ 課程導讀
第2週
Ch 1.4-2.1
本質矽，質量作用定律、薄片電阻、習題練習
第3週
Ch 2.2-2.3
能帶與載子傳輸介紹、習題練習
第4週
Ch 3.1-3.5
化合物半導體晶體結構、能帶基本觀念、習題練習
第5週
Ch 3.6-4.4
砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽比較、習題練習
第6週
Ch 4.5-4.8
CMOS、MOSFET電性的解析、習題練習
第7週
Ch 5.1-5.3
半導體費米分布函數、結構與缺陷及習題練習
第8週
Ch 5.4-6.2
接面能帶圖與費米能階及範例、習題練習
第9週
期中考
期中考試
第10週
Ch 6.3-6.5
MOSFET製程技術與範例、習題練習
第11週
Ch 7.1-7.3
MOSFET縮小化與短通道效應、習題練習
第12週
Ch 7.4-8.1
FinFET系統組件與範例、習題練習
第13週
Ch 8.2-8.4
高速與高功率電晶體與範例、習題練習
第14週
Ch 9.1-9.3
半導體光電元件概念、習題練習
第15週
Ch 9.4-10.2
太陽電池實體設計分析、習題練習
第16週
Ch 10.3-11.2
矽晶棒之生長介紹與晶圓之製作、習題練習
第17週
Ch 11.3-12.3
化合物半導體晶棒生長測試應用與習題練習
第18週
期末考
期末考試
- 教科書
主要教材 :
「半導體製程概論(第五版)」：李克駿、李克慧、李明逵 編著，全華圖書公司。ISBN：9786263284579
參考書籍 :
“Semiconductor physics and Devices” Neaman ： 楊賜麟譯，東華圖書公司。
“Semiconductor Devices: Physics and Technology, 3rd Edition” Simon M. Sze ：施敏 著，Wiley圖書公司。 US $237.95
- 成績說明
期中考： 25%
作業：30%
出席表現：20%
期末成績： 25%
- 課表
- 星期二 / 第三節(03C1008), 第四節(03C1008)
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